資料詳細

ＳｉＣ／ＧａＮパワー半導体の実装と信頼性評価技術貸出可

菅沼克昭／編著 -- 日刊工業新聞社 -- ２０１４．１２ -- 549.8

所蔵

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所蔵館	所蔵場所	請求記号	資料コード	資料区分	帯出区分	状態
久喜	貸閲公開	/549.8/ｴｽ/	102862018	一般和書	帯出可	在館中

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館名	所蔵数	貸出中数	貸出可能数
久喜	1	0	1

タイトル	ＳｉＣ／ＧａＮパワー半導体の実装と信頼性評価技術
書名カナ	エスアイシー　ジーエイエヌ　パワー　ハンドウタイ　ノ　ジッソウ　ト　シンライセイ　ヒョウカ　ギジュツ
著者	菅沼克昭／編著
著者カナ	スガヌマ，カツアキ
出版者	日刊工業新聞社
出版年	２０１４．１２
ページ数	２４７ｐ
大きさ	２１ｃｍ
一般件名	半導体 , 信頼性（工学）
NDC分類(9版)	549.8
内容紹介	ＳｉＣやＧａＮなどの次世代パワーデバイスの実用化が進むためには、ワイドギャップ半導体の信頼性が確立されることが重要。そのためには、鉛フリー・ダイアタッチ技術や新しい配線技術が必要。本書は、本技術を実装面で確立するためのこれらの技術及び信頼性の評価手法などを解説。
ISBN	4-526-07339-3
特定資料種別	一般和書